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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种低温黑体源辐射功率校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119394448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536122.2，技术领域涉及：G01J5/53；该发明授权一种低温黑体源辐射功率校准方法是由陈健;迟天圆;吴敬波;石粒力;苏润丰;涂学凑;金飚兵设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温黑体源辐射功率校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温黑体源辐射功率校准方法，包括如下步骤：搭建低温测试系统，对低温黑体源辐射功率进行校准；改变超导动态电感探测器的浴温，测试不同浴温下超导动态电感探测器的响应曲线，并提取响应幅值；计算对应超导动态电感探测器浴温下准粒子数量；将响应幅值与准粒子数量拟合得到超导动态电感探测器准粒子数关于响应幅值的函数；将探测器浴温降到低于100mK，低温黑体源温度降低到低于4K，改变低温黑体源温度，测试不同黑体源温度下超导动态电感探测器的曲线，并提取幅值；计算得到对应的准粒子数量；由准粒子数量计算低温黑体源辐射功率；计算低温黑体源的辐射效率。本发明能够解决极低温下黑体源太赫兹辐射功率无法校准的问题。

本发明授权一种低温黑体源辐射功率校准方法在权利要求书中公布了：1.一种低温黑体源辐射功率校准方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、搭建低温测试系统； 步骤2、将黑体源温度降到低于4K，改变探测器浴温，测试不同探测器浴温下超导动态电感探测器S21曲线，并提取响应幅值； 步骤3、计算对应探测器浴温下准粒子数量；具体为： ， 是超导动态电感探测器吸收器超导体的费米面处电子单自旋态密度，V是超导动态电感探测器吸收器的体积，kB是玻尔兹曼常数，Tbath是探测器浴温，Δ0是超导动态电感探测器吸收器的超导体能隙； 步骤4、将步骤2得到的响应幅值与步骤3得到的准粒子数量拟合得到超导动态电感探测器准粒子数关于响应幅值的函数； 步骤5、将探测器浴温降到低于100mK，改变黑体源温度，测试不同黑体源温度下超导动态电感探测器的S21曲线，并提取幅值； 步骤6、将步骤5得到的幅值带入步骤4中的超导动态电感探测器准粒子数关于响应幅值的函数，计算得到对应的准粒子数量； 步骤7、由步骤6的准粒子数量计算低温黑体源辐射到探测器上的辐射功率；具体为： ， Nqp是步骤6中计算得到的准粒子数，ηpb是超导动态电感探测器吸收器部分库珀对拆对效率，ηopt是光学效率，P是低温黑体源辐射功率； 步骤8、计算低温黑体源的辐射效率。

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