长鑫科技集团股份有限公司陈军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411538521.2，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其制备方法是由陈军;林廉恭;李宗翰;王春阳设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，包括器件层、埋入式电源轨及硅通孔，硅通孔通过埋入式电源轨与器件层连接；电源网络层，设置于衬底上，电源网络层包括至少一层第一电源阵列和至少一层第二电源阵列，第一电源阵列通过硅通孔与埋入式电源轨连接；电容结构，设置于第一电源阵列和第二电源阵列之间，并通过电容结构的下电极和上电极分别与第一电源阵列和第二电源阵列连接。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括器件层、埋入式电源轨及硅通孔，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述硅通孔贯穿所述衬底的所述第一表面和所述第二表面，所述硅通孔通过所述埋入式电源轨与所述器件层连接； 电源网络层，设置于所述衬底上，所述电源网络层包括至少一层第一电源阵列和至少一层第二电源阵列，所述第一电源阵列通过所述硅通孔与所述埋入式电源轨连接； 电容结构，设置于所述第一电源阵列和所述第二电源阵列之间，并通过所述电容结构的下电极和上电极分别与所述第一电源阵列和所述第二电源阵列连接； 所述第一电源阵列与所述第二电源阵列之间还设置有接触插塞，所述电容结构与所述接触插塞均设置于绝缘层内，所述绝缘层包括第一阻隔层、第一绝缘层、第二阻隔层和第二绝缘层，所述电容结构位于所述第二阻隔层下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励