天津储翕科技有限公司;天津大学孙洁获国家专利权
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龙图腾网获悉天津储翕科技有限公司;天津大学申请的专利一种提升锰基正极材料循环性能的方法及制得的锰基正极材料和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411665126.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种提升锰基正极材料循环性能的方法及制得的锰基正极材料和应用是由孙洁;刘威;张宝山设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升锰基正极材料循环性能的方法及制得的锰基正极材料和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升锰基正极材料循环性能的方法及制得的锰基正极材料和应用，属于电池制备技术领域。提升锰基正极材料循环性能及制得的锰基正极材料的具体过程为：降低锰基材料中锰离子的自旋态，然后以其制备锰基正极材料。本发明通过磁场辅助、煅烧和等离子体处理中不同处理方式的组合，改变了锰离子的电子能级结构，使不同自旋态的电子重新配对，获得新的d轨道电子填充状态，从而改变锰离子的自旋态，制备得到具有低自旋态的锰基正极材料，同时由于磁致伸缩效应，晶格常数减小，有利于TM‑O键的作用力增强。在低自旋态的锰基正极材料中，可以显著降低由姜泰勒效应带来的晶格畸变，提高材料的循环稳定性，延长材料的使用寿命。
本发明授权一种提升锰基正极材料循环性能的方法及制得的锰基正极材料和应用在权利要求书中公布了：1.一种提升锰基正极材料循环性能的方法，其特征在于，将含锰前驱体材料与锂源混合，利用煅烧结合磁场辅助和或高温等离子体处理，降低锰基材料中锰离子的自旋态，然后以其制备正极材料； 其中，于300~500℃煅烧5~10h，再升温至800~1000℃煅烧10~15h，完成煅烧过程； 采用磁场辅助处理降低锰基材料中锰离子的自旋态时，两次煅烧过程中的磁场强度分别为0.2~0.5T。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津储翕科技有限公司;天津大学，其通讯地址为：300392 天津市西青区学府工业区才智道35号海澜德大厦1号楼10层F123；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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