中国科学院新疆理化技术研究所潘世烈获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利化合物β-铯镉硅硫和β-铯镉硅硫非线性光学晶体及制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119503811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411632045.0，技术领域涉及：C01B33/00；该发明授权化合物β-铯镉硅硫和β-铯镉硅硫非线性光学晶体及制备方法和用途是由潘世烈;吴雅博;崔晨;陈鑫晨设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本化合物β-铯镉硅硫和β-铯镉硅硫非线性光学晶体及制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种化合物β‑铯镉硅硫和β‑铯镉硅硫非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为β‑Cs2CdSi4S10，分子量为755.04，该晶体的化学式为β‑Cs2CdSi4S10，分子量为755.04。属于四方晶系，空间群为I‑4，晶胞参数为a=8.42337Å，c=14.613612Å，单胞体积为1036.8619Å3，采用真空封管法制备晶体，使用kurtz‑perry法测得β‑Cs2CdSi4S10晶体的倍频效应约为AgGaS2AGS的1.1‑1.2倍；使用紫外‑可见漫反射光谱测得晶体带隙为4.21eV,紫外截止边为254nm，红外透明范围大于8μm。该晶体具有制备工艺简单，生长周期短，避免原料泄露和污染优点。在大气遥感和通讯领域有重要应用，可用于制作针对高功率激光输出应用的频率下转换器件。
本发明授权化合物β-铯镉硅硫和β-铯镉硅硫非线性光学晶体及制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种β-铯镉硅硫红外非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为β-Cs2CdSi4S10，分子量为755.04，属于四方晶系，空间群为I-4，晶胞参数为a=8.42337Å，c=14.613612Å，单胞体积为1036.8619Å3。
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