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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利滤波器及其形成方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311121389.0，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权滤波器及其形成方法、电子设备是由高琳娜;田园园;侯林;杨玮设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本滤波器及其形成方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种滤波器及其形成方法、电子设备，形成方法包括：提供压电叠层结构后，第一减薄处理对目标谐振区中钝化材料层进行减薄，从而目标谐振区的钝化层厚度小于其他谐振区中钝化层厚度，所以目标谐振区的钝化层振动频率快于其他谐振区的钝化层振动频率，目标谐振区的谐振器的频率右移，有利于使得目标谐振区用于形成振动频率最高的谐振器，对应滤波器带宽的表现为滤波器的带宽增大，因为第一减薄处理使得目标谐振区的钝化层表面粗糙度进一步降低，意味着目标谐振区中钝化层的厚度均一性得到提高，使得滤波器带宽右侧频率经过调制，提高了滤波器带宽右侧频率的均匀性，测量时会有更多的频率点会落在规格要求的范围内，有利于提高滤波器的良率。

本发明授权滤波器及其形成方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括： 提供压电叠层结构，所述压电叠层结构包括压电层，所述压电层包括第一侧和与第一侧相背的第二侧，所述压电叠层结构还包括位于所述第一侧的第一电极以及位于所述第二侧的第二电极；所述压电叠层结构包括在平面上分布的多个谐振区，所述谐振区用于形成谐振器，多个谐振区中包括高谐振区、中谐振区、低谐振区，其中，用于形成振动频率最高谐振器的谐振区为目标谐振区；各个所述谐振区中工作区的质量负载层的厚度不同，其中，质量负载层越厚，谐振器的谐振频率越低；目标谐振区中工作区的质量负载层的厚度大于预期厚度，且目标谐振区的工作区的所述质量负载层的厚度与所述预期厚度的差值大于刻蚀机台的波动误差； 在所述第一侧上形成覆盖所述第一电极的钝化材料层； 对所述目标谐振区的所述钝化材料层进行第一减薄处理，形成钝化层，以使得目标谐振区的钝化层厚度小于其他谐振区中钝化层厚度； 其中，所述在所述第一侧上形成覆盖所述第一电极的钝化材料层的步骤包括：在所述第一侧上形成覆盖所述第一电极的钝化材料膜；对所述钝化材料膜进行第二减薄处理，形成所述钝化材料层。

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