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龙图腾网获悉重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种基于SISL的双通带滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411337538.1，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种基于SISL的双通带滤波器是由张波;唐浩超;李道通;牛中乾;吴琳;李红伟设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SISL的双通带滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于SISL的双通带滤波器，包括顶层和底层分别覆有金属层的五层介质基板，五层介质基板由上至下分别为sub1‑sub5；五层介质基板顶层和底层的金属层由上至下分别为G1‑G10；所述五层介质基板的中间区域均设置有方形金属化通孔阵列1；五层介质基板上的方形金属化通孔阵列1上下相对应；所述介质基板sub1上设置有集成DGS1；介质基板sub3上设置有微波电路；所述介质基板sub5上设置有集成DGS2；介质基板sub2和介质基板sub4上均设置有空气腔，所述介质基板sub2的空气腔和介质基板sub4的空气腔上下相对应，本发明实现了双通带滤波效果，提高了双通带的选择性。

本发明授权一种基于SISL的双通带滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于SISL的双通带滤波器，其特征在于，包括：顶层和底层分别覆有金属层的五层介质基板，五层介质基板由上至下分别为sub1-sub5；五层介质基板顶层和底层的金属层由上至下分别为G1-G10；所述五层介质基板的中间区域均设置有方形金属化通孔阵列1；所述五层介质基板上的方形金属化通孔阵列1上下相对应；所述介质基板sub1下表面设置有集成DGS1；所述介质基板sub3上设置有微波电路；所述介质基板sub5上表面设置有集成DGS2；所述介质基板sub2和介质基板sub4上均设置有空气腔，所述介质基板sub2的空气腔和介质基板sub4的空气腔上下相对应； 所述微波电路包括：设置在金属层G5上的两个GCPW、设置在金属层G5上的两个T型馈电、以及设置在金属层G6上的两个方形馈电；所述两个T型馈电和两个方形馈电设置在方形金属化通孔阵列1围成的区域内； 所述两个GCPW分别和两个T型馈电连接形成两个GCPW过渡到SSL的T型馈电；所述两个方形馈电分别通过金属化通孔和两个T型馈电进行连接。

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