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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利用于制造光电器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411225903.X，技术领域涉及：H10K59/38；该发明授权用于制造光电器件的方法是由法兰科斯·坦帕里尔;斯蒂芬·阿尔塔津;奥瑞莲·苏姆;杰瑞米·比尔德;艾蒂安·凯内尔设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造光电器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于制造光电器件1的方法，该光电器件包括二极管D1、D2、D3阵列和颜色转换部分P1、P2阵列，该方法包括以下步骤：提供二极管阵列D1、D2、D3和上电极层E1、E2、E3；沉积表面电位基本上为零的介电层26；在电极2和第一上电极层E1之间施加电位差，使得在介电层26中形成具有非零表面电位的第一图案M1；通过使介电层26与包含第一光致发光颗粒p1的胶体溶液S1接触来生成第一颜色转换部分P1。

本发明授权用于制造光电器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光电器件1的方法，所述光电器件包括： 二极管D1、D2、D3阵列，具有相互相对的后端面和前端面，所述前端面用于接收或传输光辐射； 设置在所述前端面上的颜色转换部分P1，P2阵列，所述颜色转换部分阵列包括第一颜色转换部分P1，所述第一颜色转换部分面向所述二极管阵列中的称为第一二极管D1的二极管设置； 所述方法包括以下步骤： 提供光电结构，所述光电结构包括： ●所述二极管D1、D2、D3阵列； ●至少一个下电极层21，设置在所述后端面处并被配置为对所述二极管进行极化；以及 ●上电极层E1、E2、E3，设置在所述前端面处并被配置为对所述二极管进行极化，所述上电极层包括第一上电极层E1，所述第一上电极层被配置为对所述第一二极管D1进行极化且与其他上电极层E2、E3不同； 沉积介电层26覆盖所述二极管D1、D2、D3阵列和所述上电极层E1、E2、E3，所述介电层的与所述前端面相对的上端面的表面电位基本为零； 在一方面设置在所述介电层26上的临时电极2与另一方面所述第一上电极层E1之间施加电位差，从而在所述介电层26中形成具有非零表面电位的第一图案M1，所述第一图案位于仅面向所述第一上电极层E1的位置；然后去除所述临时电极2； 通过使所述介电层26与包含第一光致发光颗粒p1的第一胶体溶液S1接触来生成所述第一颜色转换部分P1，所述第一光致发光颗粒p1仅面向具有非零表面电位的所述第一图案M1沉积在所述介电层26上，从而形成所述第一颜色转换部分P1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人原子能和替代能源委员会，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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