华南理工大学潘敏强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119634074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411677944.2,技术领域涉及:B05B1/08;该发明授权一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置是由潘敏强;王婷婷;李超;周晓宇设计研发完成,并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置,包括:入口射流板;多个射流板,所述多个射流板采用串联形式贴合设置,所述入口射流板和射流板的一面设有流体振荡结构,所述流体振荡结构包括分流腔和至少两个振荡腔,用于将流体的稳态流动转变为周期性振荡射流;射流底板,所述射流底板设有多个流道,所述流体振荡结构的射流出口位于所述多个流道的正上方,各个流道之间形成肋片;出口盖板;所述出口盖板、射流板、入口射流板与位于底部的射流底板连接为一个整体。本发明能解决现有技术中非均匀发热芯片热源面的散热问题,根据实际应用需求可形成同相位或反相位非稳态周期性振荡射流,提高散热效果。
本发明授权一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置在权利要求书中公布了:1.一种芯片散热用的级联式流体振荡射流装置,其特征在于,包括: 入口射流板,用于引流; 多个射流板,所述多个射流板采用串联形式贴合设置,所述入口射流板和射流板的一面设有流体振荡结构,所述流体振荡结构包括分流腔和至少两个振荡腔,用于将流体的稳态流动转变为周期性振荡射流; 射流底板,所述射流底板一侧中间设有出液口,其内表面设有多个流道,流道与入口射流板和多个射流板的射流出口一一对应,各个流道之间形成肋片; 出口盖板,用于密封;所述出口盖板、射流板、入口射流板与位于底部的射流底板连接为一个整体; 所述流体振荡结构采用同相设计或反相设计; 所述流体振荡结构采用同相设计,则流体振荡结构的射流出口流出两股以上偏转频率相同、相位相同的振荡射流;具体包括左右两个相互独立且结构相同的振荡腔,两个振荡腔结构相同,每个所述振荡腔包括振荡腔入口、混合腔、左附着壁、右附着壁、左通道回口、右通道回口、左通道进口、右通道进口、左反馈通道、右反馈通道及射流出口; 所述混合腔分别与左通道回口、右通道回口、左通道进口、右通道进口和射流出口连通;左附着壁及右附着臂分别位于混合腔左右两侧;所述左通道进口与所述左通道回口通过所述左反馈通道连通,所述右通道进口与所述右通道回口通过所述右反馈通道连通; 所述流体振动结构采用反相设计,则流体振荡结构的射流出口流出两股以上偏转频率相同、相位相差半个周期的振荡射流; 具体包括左振荡腔入口、右振荡腔入口、左混合腔、右混合腔、左附着壁、中一附着壁、中二附着壁、右附着壁、左通道回口、中通道回口、右通道回口、左通道进口、中通道进口、右通道进口、左反馈通道、中反馈通道、右反馈通道、左射流出口及右射流出口; 所述中反馈通道为公共反馈通道; 所述中一附着壁及中二附着壁位于中反馈通道的两侧,所述中一附着壁位于左振荡腔的一侧,中二附着壁位于右振荡腔的一侧,左右两个振荡腔通过公共反馈通道连通,所述中通道进口与所述中通道回口通过所述中反馈通道连通; 当振荡腔个数大于两个时,多个振荡腔并联在同一个分流腔上; 所述肋片的厚度与流体振荡结构的壁厚相等,肋片沿流体流动方向进行布置。
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