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龙图腾网获悉华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司申请的专利基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695950.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置是由袁文迁;季一润;槐青;袁茜;郝震;黄彬;高岩峰;杨敏祥;卢毅;宋鹏;李雨;刘蓁;谢丽芳设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置，该方法包括：获取目标IGBT的芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流；并确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量；根据芯片总数、第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成目标IGBT的内部缺陷定位。本申请能够实现绝缘栅双极晶体管内部缺陷的定位，便于接下来对绝缘栅双极晶体管的维护。

本发明授权基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，包括： 获取目标IGBT的芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，关断过程包括：所述栅极电压下降阶段和所述米勒平台阶段； 根据所述在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量； 根据所述芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位； 所述根据所述芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位，包括： 检测所述第一正常栅极放电电荷量是否大于所述第一实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷； 检测所述第二正常栅极放电电荷量是否大于所述第二实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括集栅极回路缺陷。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司，其通讯地址为：100045 北京市西城区复兴门外地藏庵南巷一号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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