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龙图腾网获悉湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411927019.0，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权半导体结构及其制备方法是由肖冲设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高半导体结构中电容器的电容密度，降低电容器的占用面积，减小半导体结构的尺寸。所述半导体结构中的器件叠层包括电容器和晶体管。晶体管包括外延层,介质层和导电层。外延层被配置为电容器的第一极板层；外延层位于相邻的第一隔离结构和第二隔离结构之间，和或相邻两个第二隔离结构之间。介质层被配置为电容器的两个极板层之间的中间介质层；介质层包覆外延层且覆盖第二隔离结构；介质层覆盖第二隔离结构的部分远离半导体基底的一侧表面表征为凹槽。导电层被配置为电容器的第二极板层；导电层覆盖介质层且填充于凹槽内。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底，包括第一隔离结构和设置于所述第一隔离结构围成区域内的至少一个第二隔离结构；所述第一隔离结构和所述第二隔离结构分别沿垂直于所述半导体基底所在平面方向的相对两端中，一端均从所述半导体基底的同一侧表面暴露，另一端均位于所述半导体基底内； 器件叠层，设置于所述半导体基底的一侧，包括电容器和晶体管；所述晶体管包括： 外延层，设置于所述半导体基底的一侧表面，被配置为所述电容器的第一极板层；所述外延层位于相邻的所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间，和或相邻两个所述第二隔离结构之间； 介质层，设置于所述外延层远离所述半导体基底的一侧，被配置为所述电容器的两个极板层之间的中间介质层；所述介质层包覆所述外延层，且覆盖所述第二隔离结构；其中，所述介质层覆盖所述第二隔离结构的部分远离所述半导体基底的一侧表面表征为凹槽； 导电层，设置于所述介质层远离所述半导体基底的一侧，被配置为所述电容器的第二极板层；所述导电层覆盖所述介质层，且填充于所述凹槽内。

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