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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种抗辐射封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411924046.2，技术领域涉及：H10W42/25；该发明授权一种抗辐射封装结构及其制造方法是由陈立军设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐射封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗辐射封装结构及其制造方法。该结构包括：第一重布线层；防护层，布置在所述第一重布线层之下；金属柱，布置在所述第一重布线层之上；处理器芯片模块，布置在所述第一重布线层之上；防护盖，遮盖所述处理器芯片模块；塑封层，塑封并包覆所述金属柱、所述处理器芯片模块以及所述防护盖；第二重布线层，布置在所述塑封层之上；探测器芯片模块，布置在所述第二重布线层之上；焊球。本发明提供的抗辐射封装结构，在处理器芯片模块之上设置防护盖，在处理器芯片模块之下设置防护层，对处理器芯片模块形成立体防护，可以有效地降低外界对处理器芯片模块的辐射，提高了封装结构的使用寿命。

本发明授权一种抗辐射封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射封装结构，其特征在于，包括： 第一重布线层； 防护层，所述防护层布置在所述第一重布线层之下，所述防护层的材料包括聚合物或者铅钨材料或者铝铅微复合材料或者无铅聚合材料中的一种或多种，其中铅钨材料包括铅或者钨中的一种或多种，无铅聚合材料包括铋或者钡或者钆或者钨或者锑或者锡中的一种或多种； 金属柱，所述金属柱布置在所述第一重布线层之上，所述金属柱与所述第一重布线层电连接； 处理器芯片模块，所述处理器芯片模块布置在所述第一重布线层之上，所述处理器芯片模块通过第一连接结构与所述第一重布线层电连接； 防护盖，所述防护盖遮盖所述处理器芯片模块，所述防护盖的材料包括聚合物或者铅钨材料或者铝铅微复合材料或者无铅聚合材料中的一种或多种，其中铅钨材料包括铅或者钨中的一种或多种，无铅聚合材料包括铋或者钡或者钆或者钨或者锑或者锡中的一种或多种； 塑封层，塑封并包覆所述金属柱、所述处理器芯片模块以及所述防护盖； 第二重布线层，所述第二重布线层布置在所述塑封层之上，所述第二重布线层与所述金属柱电连接； 探测器芯片模块，所述探测器芯片模块布置在所述第二重布线层之上，所述探测器芯片模块通过第二连接结构与所述第二重布线层电连接；以及 焊球，所述焊球布置在所述第一重布线层之下，所述焊球与所述第一重布线层电连接。

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