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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411821121.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器是由李俊鹏;陈军飞;王晗雪;陈兴;任泽阳设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器在说明书摘要公布了：本发明提供一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器，涉及超宽禁带半导体场效应晶体管器件技术领域。包括：通过气态源或者固态源，向微波等离子体化学气相沉积腔室中引入硼元素和氮元素，以在金刚石衬底层上生长n型金刚石外延；利用氢等离子体处理沉积金属掩膜后的金刚石衬底，以在第二n型金刚石外延上制备p型有源区，第一n型金刚石外延成为n型有源区；在p型有源区和n型有源区上制备源电极、漏电极、NMOS场效应管栅介质层、PMOS场效应管栅介质层和栅电极。这样，使用氢终端金刚石制备工艺和金刚石硼‑氮共掺杂工艺，在单片单晶金刚石表面同时形成p型有源区和n型有源区，从而在单片金刚石上实现CMOS反相器的制备。

本发明授权一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器在权利要求书中公布了：1.一种金刚石CMOS反相器的制备方法，其特征在于，包括： 选取金刚石衬底层； 将所述金刚石衬底层置入微波等离子体化学气相沉积系统中； 通过气态源或者固态源，向微波等离子体化学气相沉积腔室中引入硼元素前驱体和氮元素前驱体，以在所述金刚石衬底层上生长n型金刚石外延，所述n型金刚石外延包括第一n型金刚石外延和第二n型金刚石外延，所述第一n型金刚石外延和所述第二n型金刚石外延相邻且位于同一水平面； 在所述第一n型金刚石外延上沉积金属掩膜； 利用氢等离子体处理所述沉积金属掩膜后的金刚石衬底，以在所述第二n型金刚石外延上制备金刚石氢终端，并将所述金刚石氢终端作为p型有源区，所述第一n型金刚石外延制备为氮-硼共掺杂金刚石外延层，并将所述氮-硼共掺杂金刚石外延层作为n型有源区； 在所述p型有源区和所述n型有源区上依次制备源电极、漏电极、NMOS场效应管栅介质层、PMOS场效应管栅介质层和栅电极。

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