云南师范大学杨雯获国家专利权
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龙图腾网获悉云南师范大学申请的专利一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411990400.1，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池及其制备方法是由杨雯;杨培志;李佳保;杨启鸣;蒋胤;张云博;郭江涛;戚自婷设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括从下至上依次排布的基底层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、金属顶电极层。其中，电子传输层包括二氧化锡薄膜和二氧化锡纳米颗粒，二氧化锡纳米颗粒置于二氧化锡薄膜上钙钛矿吸收层一侧。钙钛矿吸收层包括二维钙钛矿材料层和三维钙钛矿材料层，二维钙钛矿材料层与二氧化锡纳米颗粒接触，三维钙钛矿材料层与空穴传输层接触。本发明通过二氧化锡纳米颗粒的粗糙表面，二维钙钛矿材料层和三维钙钛矿材料层实现了垂直取向晶体生长，减少了晶界的存在，提高了载流子的扩散长度和迁移效率，从而提升了光电转换效率。
本发明授权一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维钙钛矿垂直取向生长的太阳电池，包括从下至上依次排布的基底层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、金属顶电极层，其特征在于，所述电子传输层包括二氧化锡薄膜和二氧化锡纳米颗粒，所述二氧化锡纳米颗粒置于所述二氧化锡薄膜上所述钙钛矿吸收层一侧，所述钙钛矿吸收层包括二维钙钛矿材料层和三维钙钛矿材料层，所述二维钙钛矿材料层与所述二氧化锡纳米颗粒接触，所述三维钙钛矿材料层与所述空穴传输层接触。
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