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昆明理工大学杨黎获国家专利权

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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种原位生长Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料的方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119774614B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411661547.6,技术领域涉及:C01B32/921;该发明授权一种原位生长Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料的方法及应用是由杨黎;郭永静;夏仡;郭胜惠;赵秋妮;李虹;代青福设计研发完成,并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种原位生长Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料的方法及应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种原位生长Ti3C2Tx‑二氧化钛异质界面材料的方法及应用,属于二维复合材料及气体传感器技术领域,本发明以含氟化合物的盐酸溶液为刻蚀溶剂,采用水热法刻蚀Ti3AlC2制备Ti3C2Tx材料Tx=‑F、‑OH和‑O,在低功率下对Ti3C2Tx材料进行氧微波等离子体处理,同时控制氧气的体积分数为10‑30%,可以使得Ti3C2Tx材料部分氧化为二维片状TiO2氧化物,二维片状TiO2氧化物紧紧包裹在Ti3C2Tx表面,形成Ti3C2Tx‑TiO2异质界面材料,利用Ti3C2Tx‑TiO2异质界面材料制备而成的气体传感器对氢气有很好的响应性以及选择性。

本发明授权一种原位生长Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料的方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料在制备气体传感器中的应用,其特征在于,所述气体传感器为氢气传感器; 所述Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料通过原位生长的方法制备得到,以含氟化合物的盐酸溶液为刻蚀溶剂,采用水热法刻蚀Ti3AlC2制备Ti3C2Tx材料,其中x=-F、-OH和-O; 对所述Ti3C2Tx材料进行氧微波等离子体处理,得到所述Ti3C2Tx-二氧化钛异质界面材料; 进行氧微波等离子体处理时,微波功率为500-700W,处理时间为10-60min,压强为500-1000Pa; 所述氧微波等离子体处理在通入氧氩混合气的气氛中进行,所述氧氩混合气中氧气的体积分数为10-30%; 所述含氟化合物的盐酸溶液中盐酸的浓度为4-12molL,含氟化合物的浓度为1-2molL。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学,其通讯地址为:650000 云南省昆明市五华区学府路253号昆明理工大学基础楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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