北京工业大学汉晶获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119794490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510120732.2，技术领域涉及：B23K1/005；该发明授权一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法是由汉晶;赵思佳;王乙舒;安彤;马立民;郭福;贾强设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法在说明书摘要公布了：一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法，涉及电子封装用焊接领域。在将PCB基板表面为采用超快激光加工有井字式微纳结构表面，所述井字式微纳结构是由多条横向平行、多条纵向平行的横纵交叉形成的网格状直线沟槽微结构，多条横向平行沟槽、多条纵向平行沟槽间的相邻间距为80‑120μm，沟槽宽度为10‑20μm，沟槽深约30‑50um，通过调节超快激光加工参数调节沟槽参数，沟槽内部和沟槽周围覆盖有大量微颗粒；将焊球通过加热板植在裸芯片上，通过热风焊机将芯片与加工后的PCB基板焊接封装起来。提高表面的比表面积和结构丰富度，可用于解决现有BGA封装焊点抗热疲劳性差、耐用性差等问题。
本发明授权一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法，其特征在于，基板表面为采用超快激光加工有井字式微纳结构表面，所述井字式微纳结构是由多条横向平行、多条纵向平行的横纵交叉形成的网格状直线沟槽微结构，多条横向平行沟槽、多条纵向平行沟槽间的相邻间距为80-120μm，沟槽宽度为10-20μm，沟槽深30-50um，通过调节超快激光加工参数调节沟槽参数，沟槽内部和沟槽周围覆盖有大量微颗粒；芯片引脚处粘合有焊球，加热使焊球与芯片引脚熔化粘合在一起，将基板与芯片进行BGA封装。
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