哈尔滨工业大学田修波获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119800279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411973797.3,技术领域涉及:C23C14/04;该发明授权一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法是由田修波;李泽旭;胡天时;耿慧远设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法在说明书摘要公布了:一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了空心阴极靶变形失效以及难以在细长管筒件内壁均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。装置中包括预离化电源、预离化离子源和阳极环构成的预离化装置;预离化离子源、阳极环、空心阴极靶材、细长管筒件和阳极杆同轴设置。本发明通过设置预离化离子源,降低了空心阴极靶材放电难度,提高了空心阴极靶材放电强度,减少了空心阴极靶材端口热输入,避免了端口过热变形失效,进而提高了薄膜的沉积速率,通过往复机构带动细长管筒件与空心阴极靶材放电区域的相对运动,实现了细长管筒件内等离子体放电和均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。
本发明授权一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法在权利要求书中公布了:1.一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置,其特征在于它包括预离化离子源1、阳极环2、空心阴极靶材5、细长管筒件6、阳极杆8、预离化电源9、空心阴极电源10、偏压电源11和预离化箱体13; 所述预离化离子源1的一端与预离化电源9的负输出端连接,预离化电源9的正输出端与阳极环2以及空心阴极靶材5的一端连接,空心阴极靶材5的另一端与空心阴极电源10的负输出端连接,空心阴极电源10的正输出端与阳极杆8的一端连接并接地,细长管筒件6与偏压电源11的负输出端连接,偏压电源11的正输出端与阳极杆8相连并接地; 预离化箱体13的一侧设置开口14,开口14的一侧对接空心阴极靶材5的一端,开口14另一侧为阳极环2;预离化离子源1、阳极环2、开口14、空心阴极靶材5、细长管筒件6和阳极杆8同轴设置; 空心阴极靶材5的另一端套设于细长管筒件6筒内的一端,细长管筒件6筒内的另一端套设阳极杆8的另一端; 所述预离化离子源1和阳极环2设置于预离化箱体13内部,工作气体进入预离化箱体13;所述预离化离子源1、阳极环2和预离化箱体13构成预离化装置。
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