长江存储科技有限责任公司周星获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311307589.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统是由周星;陈尧;黄雪青设计研发完成，并于2023-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。方法包括：在第一操作阶段，根据第一基准电压执行多次读取操作，获得多个读取结果，根据多个失败位比特数，确定第二操作阶段的电压偏移方向，根据第一基准电压、第二操作阶段的电压偏移量以及第二操作阶段的电压偏移方向确定第二操作阶段的第二基准电压。本公开旨在解决读取重试时间过长，会影响读写性能的问题。
本发明授权一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储控制器的操作方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一操作阶段，在第一基准电压的基础上，按照第一操作阶段的电压偏移量依次递增或递减，得到多个读取电压； 基于所述多个读取电压执行读取操作，获得多个读取结果，其中，所述读取结果包括失败位比特数； 根据多个所述失败位比特数，确定第二操作阶段的电压偏移方向； 根据所述第一基准电压、第二操作阶段的电压偏移量以及所述第二操作阶段的电压偏移方向确定第二操作阶段的第二基准电压，所述第二操作阶段的电压偏移量小于第一操作阶段的电压偏移量，所述第二操作阶段的电压偏移量为所述第二基准电压相对所述第一基准电压的电压偏移量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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