买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利半导体结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510010249.9，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体结构及其测试方法是由陈翀一;刘淑娟;杨展頔;彭昊阳设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其测试方法，涉及半导体技术领域，能够减小半导体结构的尺寸，提高测试效率，实现半导体结构能够适用于不同性能的测试。半导体结构包括半导体基底、堆叠结构、至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘和至少一个第四测试焊盘。堆叠结构包括层叠设置且相互耦接的多个测试芯片和一个导电层。导电层设置于相邻两个所述测试芯片之间，且与测试芯片耦接。导电层包括沿垂直于半导体基底和堆叠结构的层叠方向间隔设置的多个导电结构；一个第一测试焊盘通过一个导电结构与一个第二测试焊盘耦接；一个第三测试焊盘通过一个导电结构与一个第四测试焊盘耦接。

本发明授权半导体结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底； 堆叠结构，设置于所述半导体基底的一侧，包括层叠设置且相互耦接的多个测试芯片和一个导电层；所述导电层设置于相邻两个所述测试芯片之间，且与所述测试芯片耦接； 至少一个第一测试焊盘，设置于所述堆叠结构远离所述半导体基底的一侧，且与所述堆叠结构耦接； 至少一个第二测试焊盘，设置于所述堆叠结构远离所述半导体基底的一侧，且与所述至少一个第一测试焊盘间隔设置；所述至少一个第二测试焊盘与所述堆叠结构耦接； 至少一个第三测试焊盘，设置于所述堆叠结构靠近所述半导体基底的一侧且与所述堆叠结构耦接； 至少一个第四测试焊盘，设置于所述堆叠结构靠近所述半导体基底的一侧，且与所述至少一个第三测试焊盘间隔设置；所述至少一个第四测试焊盘与所述堆叠结构耦接； 其中，所述导电层包括多个沿垂直于所述半导体基底和所述堆叠结构的层叠方向间隔设置的多个导电结构；一个所述第一测试焊盘通过一个所述导电结构与一个所述第二测试焊盘耦接；一个所述第三测试焊盘通过一个所述导电结构与一个所述第四测试焊盘耦接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。