深圳市元视芯智能科技有限公司高巍获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市元视芯智能科技有限公司申请的专利一种LOFIC像素电路及图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119906909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510080966.9,技术领域涉及:H04N25/59;该发明授权一种LOFIC像素电路及图像传感器是由高巍;郑建华;高云飞设计研发完成,并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LOFIC像素电路及图像传感器在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种LOFIC像素电路。该LOFIC像素电路包括光电二极管、传输晶体管、浮动扩散节点、开关晶体管、第一复位晶体管、第一电源、第一溢流电荷存储电容、第二溢流电荷存储电容和电荷共享晶体管;其中,开关晶体管的漏极连接第一溢流电荷存储电容的上极板;电荷共享晶体管的源极连接第一溢流电荷存储电容的上极板和第一复位晶体管的源极;电荷共享晶体管的漏极连接第二溢流电荷存储电容的上极板;第一溢流电荷存储电容的下极板和第二溢流电荷存储电容的下极板连接电源或地。本申请中的LOFIC像素电路,将传统LOFIC电容分为两部分,通过电荷分配及动态刷新能够有效实现动态范围扩展。
本发明授权一种LOFIC像素电路及图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种LOFIC像素电路,其特征在于,所述LOFIC像素电路包括:光电二极管、传输晶体管、浮动扩散节点、开关晶体管、第一复位晶体管、第一电源、第一溢流电荷存储电容、第二溢流电荷存储电容和电荷共享晶体管; 其中,所述光电二极管的阳极连接地;所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极;所述传输晶体管的漏极连接所述浮动扩散节点和所述开关晶体管的源极;所述开关晶体管的漏极连接所述第一溢流电荷存储电容的上极板;所述电荷共享晶体管的源极连接所述第一溢流电荷存储电容的上极板和所述第一复位晶体管的源极;所述电荷共享晶体管的漏极连接所述第二溢流电荷存储电容的上极板;所述第一复位晶体管的漏极连接所述第一电源;所述第一溢流电荷存储电容的下极板和所述第二溢流电荷存储电容的下极板连接所述第一电源; 所述LOFIC像素电路还包括第一溢流传输晶体管和第二溢流传输晶体管;所述开关晶体管的漏极连接所述第一溢流电荷存储电容的上极板,包括: 所述开关晶体管的漏极连接所述第一溢流传输晶体管的源极和所述第二溢流传输晶体管的源极;所述第一溢流传输晶体管的漏极连接所述第一溢流电荷存储电容的上极板;所述第二溢流传输晶体管的漏极连接所述第二溢流电荷存储电容的上极板。
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