中芯国际集成电路制造(上海)有限公司尹世杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311440579.9，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权存储器及其形成方法是由尹世杰;袁俊设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器及其形成方法，存储器包括基底；浮栅结构，位于基底上；选择栅结构，间隔设置于浮栅结构侧部的基底上，选择栅结构包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个第一栅极；第一漏区，位于第一栅极一侧的基底中；第一源区，位于第一栅极另一侧的基底中，且多个第一源区电连接；第二漏区，位于浮栅结构一侧的基底中，且与第一源区电连接；第二源区，位于浮栅结构另一侧的基底中。第一栅极及其两侧的第一漏区和第一源区构成选择晶体管，由于多个第一源区电连接，使得多个选择晶体管并联，使写入时输入至第二漏区的电流值为各个选择晶体管的输出电流值之和，使得写入时有较多的电荷进入浮栅结构中，从而便于区分浮栅结构在写入时的状态。
本发明授权存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 基底； 浮栅结构，位于所述基底上； 选择栅结构，间隔设置于所述浮栅结构侧部的基底上，所述选择栅结构包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个第一栅极，所述第二方向与所述第一方向相垂直； 第一漏区，位于所述第一栅极一侧的基底中； 第一源区，位于所述第一栅极另一侧的基底中，且多个所述第一源区电连接； 第二漏区，位于所述浮栅结构一侧的基底中，且与所述第一源区电连接； 第二源区，位于所述浮栅结构另一侧的基底中； 其中，相邻所述第一栅极共用所述第一漏区或者第一源区。
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