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龙图腾网获悉国巨股份有限公司申请的专利晶片电阻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311442745.9，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权晶片电阻是由萧胜利;施伯勋;林广成设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片电阻在说明书摘要公布了：一种晶片电阻，主要包含基板、第一与第二导电结构、第一至第三正面电极、第一至第三背面电极、第一与第二电阻层、及第一与第二外部电极层。第一与第二导电结构设于基板中。第一至第三正面电极、及第一至第三背面电极分别设于基板的正面与背面上且彼此相对。第一背面及第一正面电极与第一导电结构接合。第一电阻层设于正面上，且与第二正面电极及第二导电结构接合。第二电阻层设于背面上，且与第一和第三背面电极、及第一和第二导电结构接合。第一外部电极层连接第一正面与第一背面电极。第二外部电极层连接第二正面与第二背面电极。双层电阻串联结构可提升晶片电阻的最高阻值，并使晶片电阻具有更高的使用功率与更高的最高使用电压。

本发明授权晶片电阻在权利要求书中公布了：1.一种晶片电阻，其特征在于，该晶片电阻包含： 基板，具有正面与背面，以及第一通孔与第二通孔从该正面延伸至该背面，其中该第一通孔与该第二通孔的每一者的直径为0.1mm至1.0mm，该第二通孔的中心与邻近的该基板的短边的距离为该基板的长度的14至13，该第二通孔的该中心与邻近的该基板的长边的距离为该基板的宽度的15至12； 第一导电结构，设于该第一通孔中； 第二导电结构，设于该第二通孔中； 第一正面电极、第二正面电极、以及第三正面电极，彼此分隔地设于该正面上，其中该第一正面电极与该第二正面电极分别位于该基板的相对两边缘区上，该第三正面电极介于该第一正面电极与该第二正面电极之间； 第一背面电极、第二背面电极、以及第三背面电极，设于该背面上，且分别与该第一正面电极、该第二正面电极、及该第三正面电极相对，该第一背面电极与该第一正面电极分别与该第一导电结构的相对两端接合； 第一电阻层，设于该正面上，且与该第二正面电极及该第二导电结构接合； 第二电阻层，设于该背面上，且与该第一背面电极、该第三背面电极、该第一导电结构、及该第二导电结构接合； 第一保护层，覆盖该第一电阻层、该第三正面电极、部分的该第一正面电极、与部分的该第二正面电极； 第二保护层，覆盖该第二电阻层、该第三背面电极、部分的该第一背面电极、与部分的该第二背面电极； 第一外部电极层，自该第一正面电极延伸经过该基板的第一侧面至该第一背面电极；以及 第二外部电极层，自该第二正面电极延伸经过该基板的第二侧面至该第二背面电极。

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