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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039640.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由鲍金玉设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制造方法。包括以下步骤：提供半导体衬底；在隔离区制作形成深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构的上表面高出有源区上表面特定高度；依次对高压器件区的有源区和高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分进行第一刻蚀和第二刻蚀；对经过第一刻蚀和第二刻蚀后的高压器件区深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分进行刻蚀，降低高压器件区的有源区上表面与高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分上表面的高度差；沉积形成高压氧化层，高压氧化层覆盖在高压器件区的有源区上表面和高压器件区深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分上表面。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括以下步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区、中压器件区和低压器件区，所述高压器件区、中压器件区和低压器件区均分别包括有源区和隔离区； 在所述隔离区制作形成深沟槽隔离结构，其中，所述高压器件区的深沟槽隔离结构的上表面高出所述高压器件区的有源区上表面第一高度，所述中压器件区的深沟槽隔离结构的上表面高出所述中压器件区的有源区上表面第二高度，所述低压器件区的深沟槽隔离结构的上表面高出所述低压器件区的有源区上表面第三高度； 依次对所述高压器件区的有源区和所述高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分进行第一刻蚀和第二刻蚀；其中，第一刻蚀中的刻蚀量占总刻蚀量的比例为70％至85％，所述总刻蚀量为所述第一刻蚀和第二刻蚀的刻蚀总量； 对经过所述第一刻蚀和第二刻蚀后的高压器件区深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分进行刻蚀，降低所述高压器件区的有源区上表面与所述高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分上表面的高度差； 沉积形成高压氧化层，所述高压氧化层覆盖在所述高压器件区的有源区上表面和所述高压器件区深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分上表面； 其中，所述依次对所述高压器件区的有源区和所述高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分进行第一刻蚀和第二刻蚀；其中，第一刻蚀中的刻蚀量占总刻蚀量的比例为70％至85％，所述总刻蚀量为所述第一刻蚀和第二刻蚀的刻蚀总量的步骤，包括： 在所述半导体衬底上形成高压氧化层掩膜图案结构，所述高压器件区的有源区，和所述高压器件区的深沟槽隔离结构靠近有源区的边缘部分从所述高压氧化层掩膜图案结构中外露； 基于所述高压氧化层掩膜图案结构，对从所述高压氧化层掩膜图案结构中外露的结构按照第一刻蚀量进行第一刻蚀； 在第一刻蚀的基础上，再次基于所述高压氧化层掩膜图案结构，对从所述高压氧化层掩膜图案结构中外露的结构按照第二刻蚀量进行第二刻蚀； 所述第一刻蚀量占总刻蚀量的比例为70％至85％，所述总刻蚀量为第一刻蚀量与第二刻蚀量之和。

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