北京超弦存储器研究院董树成获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311491307.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备是由董树成;田超;平延磊;戴瑾;王祥升设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备。该半导体结构包括隔离柱、第一半导体层、第一栅极绝缘层和第一栅电极。隔离柱沿垂直于衬底的第一方向延伸，第一半导体层设置于隔离柱的外周，第一半导体层包括依次远离衬底的第一漏极区、第一沟道区和第一源极区，第一栅极绝缘层和第一栅电极依次环绕设置于第一沟道区的外周。本申请实施例保证第一半导体层的完整性，避免因消耗第一半导体层而导致漏电的问题，有利于提高第一晶体管的性能。
本发明授权半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：设置于衬底一侧的第一晶体管和设置于所述第一晶体管远离所述衬底一侧的第二晶体管； 所述第一晶体管包括： 隔离柱，所述隔离柱沿垂直于所述衬底的第一方向延伸； 第一半导体层，所述第一半导体层设置于所述隔离柱的外周，所述第一半导体层包括依次远离所述衬底的第一漏极区、第一沟道区和第一源极区； 第一栅极绝缘层和第一栅电极，所述第一栅极绝缘层和所述第一栅电极依次环绕设置于所述第一沟道区的外周； 所述第二晶体管包括： 竖直柱，所述竖直柱沿垂直于所述衬底的方向延伸，所述竖直柱包括第二栅电极、依次围绕所述第二栅电极外周的第二栅极绝缘层和第二半导体层，所述第二栅电极与所述第一源极区连接。
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