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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195867.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种场效应晶体管及其制造方法是由曹磊;殷华湘;张青竹;姚佳欣;张亚东设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种场效应晶体管及其制造方法，包括：采用第一键合层和第二键合层进行键合的方式形成场效应晶体管底部的底部介质隔离层；设置于底部介质隔离层一侧的顶部源极、顶部漏极、顶部沟道结构、底部源极、底部漏极以及底部沟道结构，顶部沟道结构和底部沟道结构之间为中间介质层，顶部沟道结构和底部沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。采用第一键合层和第二键合层键合的方式形成位于沟道结构底部的绝缘介质，采用中间介质层作为顶部沟道结构和底部沟道结构之间的绝缘介质，避免场效应晶体管在短沟道下的衬底寄生漏电问题，提高场效应晶体管的性能。

本发明授权一种场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一键合层； 提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括层叠设置的底层半导体衬底、埋氧层和顶层半导体衬底，在所述绝缘体上半导体衬底上形成第一叠层结构和第二键合层；第一叠层结构由多个第一半导体层和多个第二半导体层交替层叠得到； 以所述第二键合层朝向所述第一键合层的方向键合所述第一衬底和所述绝缘体上半导体衬底； 在所述底层半导体衬底上形成第二叠层结构，所述第二叠层结构由多个第一半导体层和多个第二半导体层交替层叠得到； 对所述第一叠层结构和所述第二叠层结构进行处理形成场效应晶体管； 所述对所述第一叠层结构和所述第二叠层结构进行处理形成场效应晶体管包括： 对所述第一叠层结构和所述第二叠层结构进行处理形成纳米线堆叠结构，所述纳米线堆叠结构包括位于埋氧层之下的底部结构和位于所述埋氧层之上的顶部结构； 在所述底部结构两侧形成底部源极和底部漏极；在所述顶部结构两侧形成顶部源极和顶部漏极； 去除所述第二半导体层，形成多个待填充缝隙，在多个所述待填充缝隙中填充栅极，所述栅极环绕的多个所述第一半导体层构成沟道结构，所述沟道结构包括顶部沟道结构和底部沟道结构，所述顶部沟道结构和所述底部沟道结构利用所述埋氧层分隔。

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