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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利存储器芯片的测试系统、方法、装置、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120108481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113678.9，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权存储器芯片的测试系统、方法、装置、电子设备及介质是由汤昊林设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器芯片的测试系统、方法、装置、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器芯片的测试系统、方法、装置、电子设备及介质，特别涉及一种电子芯片测试领域。温控箱用于对测试组件进行加热，以使存储器芯片的环境温度达到预设的测试温度，而散热器用于对片上系统模块进行散热，降低片上系统模块的温度，避免片上系统模块因温度过高而无法运行的情况。由于存储器芯片通过连接座直接安装于测试电路板，无需通过传输线连接，因此可以避免传输线导致的信号衰减，从而保证测试电路板与存储器芯片之间信号传输速率，从而保证测试结果的准确性，且能够以较高的信号传输速率测试存储器芯片的极限性能。

本发明授权存储器芯片的测试系统、方法、装置、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器芯片的测试方法，其特征在于，应用于测试系统的上位机，所述测试系统还包括温控箱、测试组件和散热组件，所述测试组件安装于所述温控箱内部，所述测试组件包括测试电路板、第一隔热垫和散热器，所述第一隔热垫上设有通槽，所述散热器通过所述第一隔热垫设于所述测试电路板，所述测试电路板与所述散热器相对的一面设有片上系统模块，且所述片上系统模块位于所述通槽内；所述测试电路板与所述散热器相背的一面设有连接座，所述连接座用于安装待测试的存储器芯片，且所述存储器芯片通过所述测试电路板与所述片上系统模块电连接； 所述上位机位于所述温控箱外部，所述上位机与所述温控箱电连接，所述上位机通过连接线与所述测试电路板电连接；所述上位机用于向所述测试电路板发送测试指令，以及接收由所述测试电路板发送的测试数据；所述温控箱用于对所述测试组件进行加热，以使所述存储器芯片的环境温度达到预设的测试温度； 所述测试组件设有第一温度传感器和第二温度传感器，所述第一温度传感器与所述第二温度传感器安装于所述测试电路板，且所述第一温度传感器位于所述通槽内；所述第二温度传感器设于所述连接座的一侧； 所述散热组件包括水泵、膨胀阀和储水罐，所述水泵与所述储水罐均设于所述温控箱的外部，所述水泵的输出端通过所述膨胀阀与所述散热器的输入端连通，所述水泵的输入端与所述储水罐连通，所述散热器的输出端与所述储水罐连通；所述上位机分别与所述水泵、所述膨胀阀电连接； 所述方法包括： 获取极限传输速率与极限环境温度区间； 基于所述极限环境温度区间控制所述温控箱对所述测试组件进行加热；在加热过程中，启动所述水泵，并通过所述第一温度传感器获取所述通槽内的第一检测温度，通过所述第二温度传感器获取所述连接座的第二检测温度，基于第一检测温度与第二检测温度控制所述膨胀阀，以使第一检测温度低于第一预设温度，且第二检测温度处于所述极限环境温度区间内；其中，所述第一预设温度为所述片上系统模块正常工作的温度范围的上限值； 在检测到第一检测温度低于所述第一预设温度，且第二检测温度处于所述极限环境温度区间内的情况下，基于所述极限传输速率，通过所述测试电路板对待测试的所述存储器芯片进行性能测试，得到测试结果。

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