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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510533110.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管及其制备方法和应用是由于洪宇;于浩哲;汪青;李沐峻;汪晓慧;汤欣怡;胡典钢设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管，所述具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管的结构从下到上依次包括阴极、衬底、Ga2O3层、阳极；所述阳极的直径小于Ga2O3层的直径，所述Ga2O3层上等距间隔刻蚀有多个离子注入区，所述阳极覆盖在所述Ga2O3层上，多个离子注入区均与阳极贴合，位于两端部的离子注入区的部分与阳极不接触；本发明通过使用二氧化硅层作为硬掩膜，光刻胶作为软掩膜，利用不同掩膜的去除性质进行对外延片上表面区域进行氟离子刻蚀，形成离子注入区，能对肖特基接触面的电子进行耗尽，有效降低阳极区域的尖峰电场和漏电，提升器件的击穿特性。

本发明授权一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管的结构依次包括阴极、衬底、Ga2O3层、阳极； 其中，所述阳极的直径小于Ga2O3层的直径，所述Ga2O3层上等距间隔刻蚀有多个离子注入区，所述阳极覆盖在所述Ga2O3层上； 所述离子注入区内注入有氟缺陷离子，所述氟缺陷离子通过三氟甲烷注入； 所述间隔的距离为2-4μm； 所述离子注入区的厚度为50-100nm； 所述离子注入区的直径为2-4μm； 所述阳极的直径小于Ga2O3层的直径； 所述具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法包括如下步骤： S1、准备外延片，所述外延片依次包括衬底、Ga2O3层； S2、在所述衬底上表面沉积二氧化硅层作为硬掩模； S3、在二氧化硅层上表面旋涂增粘剂，再滴涂光刻胶作为软掩模后进行前烘处理、在光刻胶上定义离子注入区的光刻区域、曝光去除离子注入区的光刻区域的光刻胶再进行后烘坚膜处理； S4、对离子注入区的光刻区域上的二氧化硅层进行湿法刻蚀后进行套刻去除多余光刻胶，对离子注入区的光刻区域进行氟等离子刻蚀，注入氟缺陷离子； S5、在衬底的下表面沉积阴极； S6、在离子注入区的上表面沉积阳极，使阳极对部分的离子注入区进行覆盖，得到具有高击穿电压的氧化镓肖特基二极管。

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