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龙图腾网获悉无锡摩芯半导体有限公司申请的专利一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120386748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510436158.1，技术领域涉及：G06F13/16；该发明授权一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法是由殷富强设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及嵌入式闪存数据读取技术领域，且公开了一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法，通过在FLASH控制器内设置三组Datapath+Cache，实现三模冗余和异构冗余，并通过Cross模块实现分层冗余和电路重组合；CPU通过APB实现模块配置，CPU或其他Master通过AXI经Cache和Data_path访问FlashMemory。该eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法通过采用三模冗余、分层冗余和异构冗余结合，同时采用分层电路重组设计，以及采用前后四级寄存器+反相器的功能安全设计，使数据通路可灵活配置，实现eFlash控制器的读数据通路和读预取Cache的复合冗余设计，整个方案更可靠更高效且更灵活，能有效提升eFLASH读效率且满足车规功能安全需求。

本发明授权一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法在权利要求书中公布了：1.一种eFLASH控制器的读数据通路及读Cache的功能安全设计方法，其特征在于，通过在FLASH控制器内设置三组Datapath+Cache，实现三模冗余和异构冗余，并通过Cross模块实现分层冗余和电路重组合；CPU通过APB总线与所述FLASH控制器的配置寄存器连接以实现模块的配置，CPU或其他Master通过AXI经Cache和Data_path访问FlashMemory； 其中，所述三模冗余的电路工作机制如下： 输入数据经过DataPath0、DataPath1和DataPath2后在FENC_Poll0进行比较和投票；数据经过Cache0、Cache1和Cache2后在FENC_Poll1进行比较和投票； 所述电路工作机制支持两种模式：冗余模式或非冗余模式； 所述异构冗余的电路工作机制为：Cache0使用ECC保护数据，Cache1和Cache2使用CRC保护数据； 所述分层冗余电路工作机制为：读数据通路分为DataPath和Cache两层，分别做冗余和比较； 通过所述Cross配置DataPathX与CacheY组合成完整的数据通路，实现电路重组合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡摩芯半导体有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区弘毅路8号金帛座606、607室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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