中国科学院西安光学精密机械研究所赵卫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121439664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610001824.3，技术领域涉及：H01J43/24；该发明授权一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法是由赵卫;朱相平;黄城;李玮楠设计研发完成，并于2026-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法，属于中子探测器技术领域。中子敏感微通道板包括玻璃基板，玻璃基板上开设有多个贯穿玻璃基板厚度方向的微通道，微通道为锥形通孔结构，微通道的入口端的孔径小于出口端的孔径，入口端的开口率低于出口端的开口率；微通道的内壁中形成有二次电子倍增功能层；二次电子倍增功能层包括电阻层和10B2O3二次电子发射层，电阻层与微通道的内壁接触，10B2O3二次电子发射层覆盖在电阻层上方，10B2O3二次电子发射层兼具二次电子发射与电子倍增双重作用；玻璃基板的上下表面形成有电极层，该中子敏感微通道板突破常规微通道板开口率与探测效率的矛盾，提高探测效率。
本发明授权一种中子敏感微通道板、中子探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种中子敏感微通道板，其特征在于，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1上开设有多个贯穿玻璃基板1厚度方向的微通道4，所述微通道4为锥形通孔结构，所述微通道4的入口端2的孔径小于出口端3的孔径，所述入口端2的开口率低于出口端3的开口率；所述微通道4的内壁中形成有二次电子倍增功能层；所述二次电子倍增功能层包括电阻层和10B2O3二次电子发射层，所述电阻层与微通道4的内壁接触，所述10B2O3二次电子发射层覆盖在电阻层上方，所述10B2O3二次电子发射层兼具二次电子发射与电子倍增双重作用；所述玻璃基板1的上下表面形成有电极层。
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