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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610094210.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由仇俊文;杨乾设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体结构，其包括衬底、位线层、第一层间介质层、字线层和第二层间介质层；位线层包括多条位线；字线层包括多条字线；在半导体结构中形成贯穿第二层间介质层、字线和第二层间介质层且露出位线的沟道孔，其深宽比大于等于2；形成覆盖沟道孔侧壁的栅介质层；形成覆盖栅介质层和沟道孔底壁的沟道层；形成覆盖沟道层的第一隔离层；形成第二隔离层，第二隔离层内形成有空隙；去除部分第二隔离层和第一隔离层，在剩余的第一隔离层和剩余的第二隔离层上形成内凹槽，剩余的第一隔离层的顶面低于剩余的第二隔离层的顶面最高点处且未暴露出空隙，内凹槽暴露出沟道层的上部；填充内凹槽形成漏极层。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和依次形成在所述衬底上的位线层、第一层间介质层、字线层和第二层间介质层；其中：所述位线层包括沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多条位线，相邻两条所述位线之间通过绝缘材料隔离，所述第一方向和所述第二方向相交且均平行于所述衬底；所述字线层包括沿所述第二方向间隔排列且沿所述第一方向延伸的多条字线，相邻两条所述字线之间通过绝缘材料隔离； 在所述半导体结构中形成贯穿所述第二层间介质层、所述字线和所述第一层间介质层且露出部分所述位线的沟道孔，所述沟道孔的深宽比大于等于2； 形成随形覆盖所述沟道孔侧壁的栅介质层； 形成随形覆盖所述栅介质层和所述沟道孔底壁的沟道层； 形成至少随形覆盖所述沟道层的第一隔离层； 填充所述沟道孔的剩余空间形成第二隔离层，所述第二隔离层内形成有空隙；以及 回蚀刻去除部分所述第二隔离层和部分所述第一隔离层，使得在剩余的所述第一隔离层和剩余的所述第二隔离层上形成内凹槽，剩余的所述第一隔离层的顶面低于剩余的所述第二隔离层的顶面最高点处且未暴露出所述空隙，所述内凹槽暴露出所述沟道层的上部，且所述内凹槽的底面最低点处的高度与所述字线层的上表面齐平或高于所述字线层的上表面； 填充所述内凹槽形成漏极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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