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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121575473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610091495.6，技术领域涉及：C30B19/02；该发明授权提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体是由唐宁;刘宗亮;徐科;司志伟;彭晓辉;张涛;陈珂欣;孙怀林设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体。该方法包括：提供助熔剂法液相外延生长III族氮化物晶体所需的生长体系，在熔融态生长原料的顶层部分和底层部分之间形成温度梯度，以在熔融态生长原料内形成熔融态生长原料以及氮源的闭合循环流场；以及，在III族氮化物晶体生长的初始阶段，将温度梯度调节为正温度梯度，再使温度梯度在正温度梯度和负温度梯度之间交替切换，以改变III族氮化物晶体的生长界面的不同区域的氮源浓度分布和生长速率，直至使III族氮化物晶体的生长界面呈现为平整面。本发明提供的方法操作简单、适用范围广，可以降低生产成本、提升晶体良率。

本发明授权提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体在权利要求书中公布了：1.一种提高III族氮化物晶体生长厚度及质量均匀性的方法，其特征在于，包括： 提供助熔剂法液相外延生长III族氮化物晶体所需的生长体系，使熔融态生长原料的顶层部分处于由第一热源加热形成的第一温区中，底层部分处于由第二热源加热形成的第二温区中，所述第一热源与所述第二热源的温度差ΔT∈50~250℃，以在熔融态生长原料的顶层部分和底层部分之间形成温度梯度，熔融态生长原料内形成熔融态生长原料以及氮源的闭合循环流场； 以及，在III族氮化物晶体生长的初始阶段，将所述温度梯度调节为正温度梯度，再使所述温度梯度在正温度梯度和负温度梯度之间交替切换，以改变III族氮化物晶体的生长界面的不同区域的氮源浓度分布和生长速率，直至使III族氮化物晶体的生长界面呈现为平整面； 当所述温度梯度为正温度梯度时，闭合循环流场的轨迹为：顶层部分的边缘区域→顶层部分的中间区域→底层部分的中间区域→底层部分的边缘区域→顶层部分的边缘区域，熔融态生长原料内籽晶表面的氮源浓度自中间区域指向边缘区域的方向梯度递减；当所述温度梯度为负温度梯度时，闭合循环流场的轨迹为：底层部分的边缘区域→底层部分的中间区域→顶层部分的中间区域→顶层部分的边缘区域→底层部分的边缘区域，熔融态生长原料内籽晶表面的氮源浓度自中间区域指向边缘区域的方向梯度递增； 其中，所述温度梯度=顶层部分的温度-底层部分的温度，熔融态生长原料的液面位于顶层部分，晶体生长所需的籽晶位于熔融态生长原料的底层部分，所述第二热源使底层部分的温度保持在晶体生长温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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