合肥晶合集成电路股份有限公司许嘉哲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224066931U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520501507.9，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路是由许嘉哲;仰瑞鹏;陈依柏设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路，通过在输入端与第一晶体管之间增设二极管，利用二极管的单向导电性，使得从输入端到电源VCC反向截止，在输入电压增加并大于电源VCC所提供的电压后，没有电流从输入端流经第一晶体管和第二晶体管并到达第三晶体管的栅极，这样第三晶体管不会打开，避免了闩锁回路的产生以及漏电路径的产生，从而解决了大漏电现象，保证了PMIC产品的正常量产。
本实用新型一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路在权利要求书中公布了：1.一种NMOS晶体管的击穿电压检测电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和二极管，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均包括栅极端和两个连接端，所述第一晶体管和第二晶体管为PMOS晶体管，所述第三晶体管为NMOS晶体管， 所述第一晶体管的一个连接端和所述第二晶体管的一个连接端均连接电源VCC，所述第一晶体管的另一个连接端连接所述二极管的正极，所述第三晶体管的一个连接端连接输入端并接入输入电压，同时连接所述二极管的负极，所述第一晶体管的栅极端同时连接所述第二晶体管的另一个连接端以及所述第三晶体管的栅极端，所述第三晶体管的另一个连接端接地，所述第二晶体管的栅极端接入栅极电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励