纳微半导体科技(合肥)有限公司丁伟杰获国家专利权
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龙图腾网获悉纳微半导体科技(合肥)有限公司申请的专利一种EMI抑制电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224068545U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520669906.6，技术领域涉及：H02M1/44；该实用新型一种EMI抑制电路是由丁伟杰;孙宇峰;徐杰;胡黎昆;徐泽涵设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种EMI抑制电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种EMI抑制电路，包括：低频共模抑制模块，用于抑制工频谐波及低频传导噪声，由三相铁氧体磁芯共模电感L1构成；差模泄放模块，用于泄放差模噪声，由X电容C1、X电容C2和X电容C3构成；高频共模抑制模块，用于抑制高频开关噪声及二极管反向恢复振铃，由三相共模电感L2构成；共模接地模块，用于引导共模噪声通过地线泄放，由Y电容C4、Y电容C5和Y电容C6构成，各Y电容一端分别连接三相线，另一端共地。本申请的EMI抑制电路通过两级共模电感、差模泄放模块与共模接地模块的协同设计，省略了差模电感，在保证共模噪声抑制能力的同时，缩减了电路体积和节省了成本。
本实用新型一种EMI抑制电路在权利要求书中公布了：1.一种EMI抑制电路，其特征在于，包括： 低频共模抑制模块，用于抑制工频谐波及低频传导噪声，由三相铁氧体磁芯共模电感L1构成； 差模泄放模块，用于泄放差模噪声，由X电容C1、X电容C2和X电容C3构成； 高频共模抑制模块，用于抑制高频开关噪声及二极管反向恢复振铃，由三相共模电感L2构成； 共模接地模块，用于引导共模噪声通过地线泄放，由Y电容C4、Y电容C5和Y电容C6构成，各Y电容一端分别连接三相线，另一端共地。
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