无锡昌德微电子股份有限公司黄昌民获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡昌德微电子股份有限公司申请的专利一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069035U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520777542.3，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构是由黄昌民;赵秋森;黄富强设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构，包括衬板和外延层，所述外延层设置于衬板的顶部，所述外延层的顶部设置有肖特基势垒层，所述肖特基势垒层包括肖特基接触层，所述肖特基接触层设置于外延层的顶部，所述肖特基接触层的外缘且位于外延层的顶部设置有场板层，所述外延层的顶部且位于场板层的外表面设置有保护层，本实用新型涉及二极管技术领域。该超大功率光伏TMBS芯片的分层结构，通过在装置外层沉积氮化铝膜层和钝化由氮化硅形成的钝化层，使得装置既能够通过氮化铝膜层进行热量传导散热，又能够通过钝化层将外界环境隔绝，防止湿气、污染物和机械损伤对器件性能的影响。
本实用新型一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构在权利要求书中公布了：1.一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构，包括衬板1和外延层2，所述外延层2设置于衬板1的顶部，其特征在于：所述外延层2的顶部设置有肖特基势垒层3，所述肖特基势垒层3包括肖特基接触层31，所述肖特基接触层31设置于外延层2的顶部，所述肖特基接触层31的外缘且位于外延层2的顶部设置有场板层32，所述外延层2的顶部且位于场板层32的外表面设置有保护层33。
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