江苏捷捷微电子股份有限公司陈英杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种三极管触发的集成可控硅获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069036U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520871329.9，技术领域涉及：H10D18/00；该实用新型一种三极管触发的集成可控硅是由陈英杰;牟佳伟设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三极管触发的集成可控硅在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种三极管触发的集成可控硅，包括N‑型硅衬底，所述N‑型硅衬底靠近上表面设置有可控硅正面P型短基区和三极管P型基区，所述N‑型硅衬底靠近下表面设置有可控硅背面P型短基区，所述可控硅正面P型短基区设置有可控硅N+型发射区和设置于所述可控硅N+型发射区的阴极电极，所述可控硅正面P型短基区靠近所述三极管P型基区设置有可控硅门极金属，所述三极管P型基区一侧设置有三极管N+型发射区和设置于所述三极管N+型发射区表面的三极管发射极金属，所述三极管P型基区另一侧设置有门极电极，所述三极管发射极金属和所述可控硅门极金属通过设置有POLY电阻连通；本实用新型结构简单，设计合理，具有更好的抗干扰能力，减少应用成本。
本实用新型一种三极管触发的集成可控硅在权利要求书中公布了：1.一种三极管触发的集成可控硅，包括N-型硅衬底1，其特征在于：所述N-型硅衬底1靠近上表面设置有可控硅正面P型短基区21和三极管P型基区3，所述N-型硅衬底1靠近下表面设置有可控硅背面P型短基区22，所述可控硅正面P型短基区21设置有可控硅N+型发射区4和设置于所述可控硅N+型发射区4的阴极电极5，所述可控硅正面P型短基区21靠近所述三极管P型基区3设置有可控硅门极金属6，所述三极管P型基区3一侧设置有三极管N+型发射区7和设置于所述三极管N+型发射区7表面的三极管发射极金属8，所述三极管P型基区3另一侧设置有门极电极9，所述三极管发射极金属8和所述可控硅门极金属6通过设置有POLY电阻10连通。
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