苏州实验室戴烨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069037U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520050681.6，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构是由戴烨斌;夏素缦;张浩;童祎设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构，包括由下至上依次设置的衬底层、绝缘层、铁电层、极化缓冲层及栅极层，所述铁电层采用AlScN薄膜，其厚度为20nm，所述极化缓冲层采用AlN，其厚度为10nm。本实用新型提供一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构，AlScN具有纤锌矿晶体结构，铁电性稳定，能够在去除外部电场后保持特定的电状态，并在高达1100℃的环境中保持稳定，是实现非易失性存储的理想材料，AlScN为具有无机铁电材料中最低的介电常数，有助于增加FeRAM的感测边际；AlScN薄膜可使用磁控溅射技术在低于400℃的温度下生长，与CMOS制造工艺兼容，且其中不含易挥发元素，减少了COMS工艺中的污染风险。
本实用新型一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构在权利要求书中公布了：1.一种使用AlScN铁电材料的高性能存储性器件结构，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底层、绝缘层、铁电层、极化缓冲层及栅极层，所述铁电层采用AlScN薄膜，其厚度为20nm，所述极化缓冲层采用AlN，其厚度为10nm。
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