台湾积体电路制造股份有限公司黄信华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069040U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520231149.4，技术领域涉及：H10D84/00；该实用新型集成电路器件是由黄信华设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种集成电路器件，其包括衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面、配置在衬底的第二表面上的第一介电层、配置在第一介电层中的光检测器和光学边缘耦合器、配置在第一介电层上的至少一个介电层、配置在至少一个介电层中的导电结构、配置在集成电路器件表面的导电垫、以及从集成电路器件表面向衬底延伸的沟槽。导电垫透过导电结构电耦合到光检测器。光学边缘耦合器光学耦合到光检测器，并被配置为从沟槽的侧壁接收光。
本实用新型集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，其特征在于，包括： 衬底，包括第一表面和第二表面； 配置在所述衬底的所述第二表面上的第一介电层； 配置在所述第一介电层中的光检测器和光学边缘耦合器，所述光学边缘耦合器与所述光检测器光学耦合； 配置在所述第一介电层上的至少一介电层； 配置在所述至少一介电层中的导电结构； 导电垫，配置在所述集成电路器件的表面，所述导电垫透过所述导电结构电耦合到所述光检测器；以及 从所述集成电路器件的表面向所述衬底延伸的沟槽，所述光学边缘耦合器被配置成从所述沟槽的侧壁接收光。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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