电子科技大学陈俊宇获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双色红外探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069047U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520780171.4，技术领域涉及：H10F77/14；该实用新型一种基于nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双色红外探测器是由陈俊宇;程科铭;张家振;徐浩设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双色红外探测器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于nBn结构的InAsGaSb超晶格中长波双色红外探测器，属于光电子器件技术领域，包括自下而上依次设置的GaSb衬底、非掺杂GaSb缓冲层、14MLInAs7MLGaSb超晶格Si掺杂层、14MLInAs7MLGaSb超晶格非故意掺杂层、4MLInAs7MLGaSb超晶格非故意掺杂层、8MLInAs6MLGaSb超晶格非故意掺杂层和8MLInAs6MLGaSb超晶格Si掺杂层。本实用新型利用14MLInAs7MLGaSb超晶格与8MLInAs6MLGaSb超晶格的中长波吸收层组合，实现中长双波段响应的高吸收效率与低串扰，具有低暗电流和宽温区工作能力。
本实用新型一种基于nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双色红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于nBn结构的InAsGaSb超晶格中长波双色红外探测器，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、底部接触层、长波吸收层、势垒层、中波吸收层和顶部接触层； 所述衬底层为GaSb衬底；缓冲层为非掺杂GaSb缓冲层；底部接触层为14MLInAs7MLGaSb超晶格Si掺杂层；长波吸收层为14MLInAs7MLGaSb超晶格非故意掺杂层；势垒层为4MLInAs7MLGaSb超晶格非故意掺杂层；中波吸收层为8MLInAs6MLGaSb超晶格非故意掺杂层；顶部接触层为8MLInAs6MLGaSb超晶格Si掺杂层。
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