罗姆股份有限公司日笠旭纮获国家专利权
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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111373547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880075691.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由日笠旭纮设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括：半导体层，其具有形成有沟槽的主面；第一导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述主面的表层部沿上述沟槽的侧壁形成；第二导电型的杂质区域，其在上述主体区域的表层部沿上述沟槽的侧壁形成；栅极绝缘层，其形成于上述沟槽的内壁；栅极电极，其埋入于上述沟槽，隔着上述栅极绝缘层而与上述主体区域以及上述杂质区域对置；接触电极，其从上述沟槽内贯通上述沟槽的侧壁并被引出至上述半导体层的上述主面的表层部，且与上述主体区域以及上述杂质区域电连接；以及埋入绝缘层，其在上述沟槽内介于上述栅极电极以及上述接触电极之间，对上述栅极电极以及上述接触电极进行绝缘。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体层，其具有形成有沟槽的主面； 第一导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述主面的表层部沿上述沟槽的侧壁形成； 第二导电型的杂质区域，其在上述主体区域的表层部沿上述沟槽的侧壁形成； 栅极绝缘层，其形成于上述沟槽的内壁； 栅极电极，其埋入于上述沟槽，隔着上述栅极绝缘层而与上述主体区域以及上述杂质区域对置； 接触电极，其从上述沟槽内贯通上述沟槽的侧壁并被引出至上述半导体层的上述主面的表层部，且与上述主体区域以及上述杂质区域电连接； 埋入绝缘层，其以在上述沟槽内介于上述栅极电极以及上述接触电极之间的方式埋入上述栅极电极的表层部，对上述栅极电极以及上述接触电极进行绝缘；以及 绝缘层，其包覆上述主面， 上述接触电极在上述沟槽内在上述半导体层的上述主面的法线方向以及上述半导体层的上述主面的切线方向上隔着上述埋入绝缘层而与上述栅极电极对置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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