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龙图腾网获悉恩智浦有限公司申请的专利具有环绕式电极的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010439067.0，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权具有环绕式电极的半导体装置是由托尼·范胡克;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有环绕式电极的半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置的实施例包括第一半导体区域，所述第一半导体区域形成于半导体衬底内；第二半导体区域，所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内；第一电极，所述第一电极耦接到所述第一半导体区域；第二电极，所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极，其中所述第二电极被所述第一电极环绕。第三电极可以耦接到所述第一电极和所述第二半导体区域。第四电极可以耦接到所述第一半导体区域并且接近所述第三电极，其中所述第四电极可以耦接到所述第二电极，并且其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分。

本发明授权具有环绕式电极的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体衬底； 第一半导体区域，所述第一半导体区域形成于所述半导体衬底内； 第二半导体区域，所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内； 第一电极，所述第一电极耦接到所述第一半导体区域； 第二电极，所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极，其中所述第二电极被所述第一电极环绕； 第三电极，所述第三电极耦接到所述第一电极并且耦接到所述第一半导体区域，其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分；以及 第四电极，所述第四电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第三电极，其中所述第四电极耦接到所述第二电极； 其中所述半导体装置包括初级子单元150和至少一个次级子单元152，其中所述初级子单元的至少一部分包括所述第一电极和第二电极，其中次级子单元的至少一部分包括所述第三电极和第四电极； 其中所述半导体装置包括多个单元，所述多个单元至少包括第一单元环160和第二单元环180， 其中所述初级子单元被配置为内环，所述次级子单元被配置为所述第一单元环的围绕所述初级子单元的一部分；其中，在所述第二单元环的一部分中包括至少一个三级子单元161，其中，所述三级子单元包括耦合到所述第一半导体区域的第五电极和耦合到第二半导体区域的第一电极，其中，三级子单元的第五电极包括次级子单元的第三电极的共享区； 其中所述第二单元环被配置为环绕所述第一单元环的环； 其中所述半导体装置包括耦合到所述第二半导体区的外部阴极190，所述外部阴极环绕所述第一单元环和第二单元环中的至少一个。

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