三星电子株式会社梁忠欢获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010069622.5，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法是由梁忠欢;朴照英;裴泰润;崔炳镕设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法。三维闪速存储器装置被描述为可包括衬底、交替地堆叠在衬底上的多个单元栅极图案和多个模制绝缘层、以及与多个单元栅极图案的侧表面和多个模制绝缘层的侧表面接触的垂直沟道结构。多个单元栅极图案中的每一个可包括单元栅电极和相邻设置在单元栅电极的一个侧表面上的阻挡势垒图案。阻挡势垒图案的内侧表面可包括上内侧表面、中间内侧表面和下内侧表面。阻挡势垒图案的中间内侧表面可面对单元栅电极的一个侧表面。阻挡势垒图案可具有在阻挡势垒图案的上内侧表面与阻挡势垒图案的中间内侧表面之间的连接点处朝向单元栅电极突出的部分。
本发明授权包括单元栅极图案的三维闪速存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维闪速存储器装置，包括： 衬底； 多个单元栅极图案和多个模制绝缘层，所述多个单元栅极图案和所述多个模制绝缘层交替地堆叠在所述衬底上；以及 垂直沟道结构，其与所述多个单元栅极图案的侧表面和所述多个模制绝缘层的侧表面接触，其中： 所述多个单元栅极图案中的每一个包括单元栅电极和相邻设置在所述单元栅电极的一个侧表面上的阻挡势垒图案， 所述阻挡势垒图案的内侧表面包括上内侧表面、中间内侧表面和下内侧表面， 所述阻挡势垒图案的所述中间内侧表面面对所述单元栅电极的所述一个侧表面， 所述阻挡势垒图案的外侧壁具有凸的弧形表面，并且 所述阻挡势垒图案具有在所述阻挡势垒图案的所述上内侧表面与所述阻挡势垒图案的所述中间内侧表面之间的连接点处朝向所述单元栅电极突出的部分。
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