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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011300775.2，技术领域涉及：H10W44/20；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由张维栋;林政男设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含：第一电子组件，其具有主动表面和与所述主动表面相对的背面表面；以及第一天线层，安置在所述第一电子组件的所述背面表面上。所述半导体设备封装进一步包含第一介电层，覆盖所述第一天线层；以及第二天线层，安置在所述第一天线层之上。所述第二天线层通过所述第一介电层与所述第一天线层间隔开。还公开了一种制造半导体设备封装的方法。

本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 第一电子组件，其具有主动表面和与所述主动表面相对的背面表面，所述第一电子组件包含邻近所述主动表面的导电元件及在所述主动表面上的钝化层，所述导电元件被所述钝化层覆盖且部分地暴露； 第一天线层，安置在所述第一电子组件的所述背面表面上，所述第一天线层具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面，所述第一天线层的所述第一表面直接接触所述第一电子组件的所述背面表面，所述第一天线层具有图案化第一部分及图案化第二部分，所述第一天线层的所述图案化第一部分邻近于所述第一电子组件的所述背面表面的周边，所述第一天线层的所述图案化第二部分在横截面视图下是安置在所述第一天线层的所述图案化第一部分之间； 第一介电层，安置在所述第一电子组件的所述背面表面上且包封所述第一天线层，所述第一介电层接触所述第一电子组件的所述背面表面及所述第一天线层的所述第二表面； 第二天线层，安置在所述第一介电层及所述第一天线层之上并且通过所述第一介电层与所述第一天线层间隔开，所述第二天线层具有图案化第一部分及图案化第二部分，所述第二天线层的所述图案化第一部分邻近于所述第一电子组件的所述背面表面的周边，所述第二天线层的所述图案化第二部分在横截面视图下是安置在所述 第二天线层的所述图案化第一部分之间； 第二介电层，安置在所述第一介电层及所述第一天线层上；以及 第三天线层，安置在所述第二介电层上，所述第三天线层在基本上垂直于所述第一电子组件的所述主动表面的方向上对准且整体地重叠于所述第一天线层的所述图案化第二部分及所述第二天线层的所述图案化第二部分， 其中所述第二介电层的热膨胀系数大于所述第一介电层的热膨胀系数，从而有助于平衡从所述主动表面上的所述钝化层引入的应力以减轻所述半导体设备封装的翘曲。

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