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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第九研究所申请的专利基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113612460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067312.0，技术领域涉及：H03H1/00；该发明授权基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器是由彭根斋;闫欢;张峰平;彭梓;胡艺缤设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器，属于射频元器件领域，包括腔体和盖板，所述腔体内设置有基板、电感器和电容器，所述基板为多层低温共烧铁氧体基板，所述电感器集成于所述基本内部，所述电容器采用分立元件内埋于所述腔体内；本发明采用LC结构原理设计ChebyshevI型高通滤波器，整体采用立方体开腔结构，将电感器集成于基板内部，电容器采用分立元件内埋于腔体中，成功实现了工作在1MHz～10MHz、截止频率为1MHz、体积为8.2×8.2×2.8mm³的高通滤波器；实现了无源高通滤波器的微型化及可靠性提高，对雷达系统、机载和弹载的通信系统性能的实现和提高具有重要作用，也符合通信系统更轻、更小、更便携、更好性能的发展方向。

本发明授权基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于低温共烧铁氧体工艺的高通滤波器，包括腔体和所述腔体上方的盖板，所述腔体内设置有基板、电感器和电容器，其特征在于：所述基板为多层低温共烧铁氧体基板，所述电感器集成于所述基板内部，所述电容器采用分立元件内埋于所述腔体内；其中， 所述基板包括从上至下依次设置的开槽层、上覆盖层、线圈层和下覆盖层， 所述电容器以贴片形式埋置于所述腔体的开槽层内，所述电感器集成于所述腔体的线圈层内； 所述电容器与电感器通过印刷电路图形实现电气连接； 所述电感器为五只，分别为L1、L2、L3、L4和L5，其中，所述L1、L2、L4和L5位于四个顶点处，所述L3位于中间位置，所述L1、L2、L4和L5围绕L3呈中心对此分布，并与所述基板顶层电路互联； 所述基板共计60层，其中，开槽层为24层，上覆盖层为12层，线圈层为9～12层，下覆盖层12层； 所述L1与L5对称分布，线圈结构相同，线圈设置12层；L2与L4对称分布，线圈结构相同，线圈设置11层；L3线圈设置9层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第九研究所，其通讯地址为：621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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