株式会社迪思科竹田祥平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片清洗装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110718701.9，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权晶片清洗装置是由竹田祥平;石川智久;酒井是贵设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片清洗装置在说明书摘要公布了：本发明提供晶片清洗装置，不使用清洗器具而去除附着于晶片的外周缘的树脂。晶片清洗装置对晶片的外周缘进行清洗，其中，该晶片清洗装置包含清洗单元，该清洗单元从比保持工作台的保持面所保持的晶片的外周缘靠外侧的位置朝向晶片的外周缘喷射高压水而对晶片的外周缘进行清洗。清洗单元包含：第1喷嘴，其从比晶片的外周缘靠外侧的位置在与保持面平行的方向上对晶片的外周缘喷射高压水；第2喷嘴，其在相对于保持面朝下45度的方向上对晶片的外周缘喷射高压水；以及第3喷嘴，其在相对于保持面朝上45度的方向上对晶片的外周缘喷射高压水。
本发明授权晶片清洗装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片清洗装置，其对晶片的外周缘进行清洗，其中， 该晶片清洗装置具有： 保持工作台，其通过保持面按照使晶片的外周缘探出的方式对晶片进行保持； 电动机，其使该保持工作台以该保持面的中心为轴进行旋转； 旋转控制部，其对该电动机的旋转速度进行控制；以及 清洗单元，其从比该保持面所保持的晶片的外周缘靠外侧的位置朝向晶片的外周缘喷射高压水而对晶片的外周缘进行清洗， 该清洗单元包含： 第1喷嘴，其从比该晶片的外周缘靠外侧的位置，在与该保持面平行的0度方向上，对该晶片的外周缘喷射高压水； 第2喷嘴，其从比该晶片的外周缘靠外侧上方的位置，在相对于该保持面朝向下方45度的方向上，对该晶片的外周缘喷射高压水；以及 第3喷嘴，其从比该晶片的外周缘靠外侧下方的位置，在相对于该保持面朝向上方45度的方向上，对该晶片的外周缘喷射高压水， 在从晶片的上方观察时，该第1喷嘴、该第2喷嘴和该第3喷嘴按照在晶片的周向上相互分离的方式依次配置而对该晶片的外周缘喷射高压水。
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