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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111440253.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由尤康;白杰设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决电容器制作难度较大、深宽比难以提高的技术问题，该制作方法包括：在衬底上形成电容器，电容器中远离衬底的部分第一电极之间设置有第一支撑层；去除部分第二电极和第一介质层，暴露第一支撑层背离衬底的表面；在该表面上形成具有第一孔洞结构的第二支撑层；在第一孔洞结构的侧面上形成第三电极，第三电极与第一电极相接触；形成覆盖第三电极的第二介质层，第二介质层与第一介质层相接触；在第二介质层的侧面上形成第四电极，第四电极与第二电极相接触。通过设置第三电极、第二介质层和第四电极，将电容器沿着远离衬底的方向增高，易于制作且可以提高电容器的深宽比。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成电容器，所述电容器包括多个间隔设置的第一电极、覆盖各所述第一电极侧面和顶面的第一介质层，以及覆盖所述第一介质层的第二电极，远离所述衬底的部分所述第一电极之间设置有第一支撑层； 去除部分所述第二电极，以及部分所述第一介质层，以暴露所述第一支撑层背离所述衬底的表面； 在所述第一支撑层背离所述衬底的表面上形成第二支撑层，所述第二支撑层具有第一孔洞结构；所述第一支撑层与所述第二支撑层形成新的第一支撑层； 在所述第一孔洞结构的侧面上形成第三电极，所述第三电极与所述第一电极相接触；所述第一电极与所述第三电极形成新的第一电极； 形成覆盖所述第三电极的第二介质层，所述第二介质层与所述第一介质层相接触；所述第一介质层与所述第二介质层形成新的第一介质层； 在所述第二介质层的侧面上形成第四电极，所述第四电极与所述第二电极相接触，所述第二电极与所述第四电极形成新的第二电极。

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