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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种三维半导体结构的平坦化处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311133.7，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权一种三维半导体结构的平坦化处理方法是由张坤设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维半导体结构的平坦化处理方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维半导体结构的平坦化处理方法，包括：提供三维半导体结构，包括：衬底，衬底上定义有至少一个台阶区与至少一个核心区；至少一个存储器堆叠结构，包括位于第一子台阶区的台阶结构及位于核心区的叠层结构；形成填充层，填充层在核心区的部分高于在台阶区的部分；在填充层上涂覆保护层；刻蚀保护层在核心区的部分，以露出填充层在核心区的部分的顶部；刻蚀填充层；去除保护层。本申请提供的三维半导体结构的平坦化处理方法，通过在填充层上涂覆保护层，刻蚀去除保护层在核心区的部分，再刻蚀填充层在核心区的部分，使得填充层在核心区的部分与填充层在台阶区的部分之间的高度差减小，有利于后续的填充层的平坦化处理的进行。

本发明授权一种三维半导体结构的平坦化处理方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体结构的平坦化处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供三维半导体结构，其中，所述三维半导体结构包括：衬底，所述衬底上定义有至少一个台阶区与至少一个核心区，所述台阶区与所述核心区相邻设置；形成于所述衬底上的至少一个存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构包括台阶结构以及叠层结构，所述台阶结构位于所述台阶区的第一子台阶区，所述叠层结构位于所述核心区； 在所述三维半导体结构上形成填充层，其中，所述填充层在核心区的部分的高度高于所述填充层在所述台阶区的部分的高度； 在所述填充层上涂覆保护层； 刻蚀所述保护层在核心区的部分，以露出所述填充层在核心区的部分的顶部； 刻蚀所述填充层；以及 去除所述保护层在所述台阶区的部分； 其中，所述刻蚀所述填充层，包括： 先以第一速率刻蚀所述填充层； 然后以第二速率刻蚀所述保护层在台阶区的部分，其中，所述第一速率大于所述第二速率； 交替以第一速率刻蚀所述填充层以及以第二速率刻蚀所述保护层在所述台阶区的部分。

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