中芯集成电路(宁波)有限公司王明军获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010925529.X，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权半导体结构的形成方法是由王明军;刘磊设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，在衬底上顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化；然后再利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层，最后再去除剩余的所述牺牲层。本发明在利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层时，选择有机溶剂可仅考虑去胶能力而忽略对金属导电层顶表面的腐蚀性，由于牺牲层可以保护金属导电层不被有机溶剂腐蚀，即使选择去胶能力强的有机溶剂也不会导致金属导电层的表面产生缺陷，提高了器件的良率及稳定性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层于所述衬底上，所述牺牲层覆盖所述金属导电层的顶表面，以在后续工艺中保护所述金属导电层的顶表面，所述牺牲层的材料包括氧化硅、氮化硅、掺碳氧化硅或碳氧化硅中的一种或多种，且所述牺牲层的厚度小于或等于150埃； 以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化； 利用有机溶剂湿法去除所述图形化的光刻胶层； 形成材料与所述牺牲层相同的介质层于所述衬底上，所述介质层的顶表面高于所述牺牲层的顶表面； 对所述介质层执行平坦化工艺，去除剩余的所述牺牲层及部分厚度的所述介质层，所述平坦化工艺停止在所述金属导电层的顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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