中芯集成电路(宁波)有限公司王明军获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010985114.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王明军;刘磊设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括提供待加工半导体结构，所述待加工半导体结构包括停止层，覆盖于所述停止层上的已被刻蚀层和位于所述已被刻蚀层上的光刻胶层，所述已被刻蚀层暴露出部分停止层表面；利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层，所述干法去胶工艺所使用的去胶气体包括氧气和停止层保护膜形成气体。本发明实施例所提供的半导体器件的制造方法，可以降低去胶工艺对位于被刻蚀层下方的停止层造成的损伤，提高所得到的半导体器件的质量，本发明实施例所提供的半导体器件具有较高的质量。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供待加工半导体结构，所述待加工半导体结构包括停止层，所述停止层的材料为氮化铝，覆盖于所述停止层上的已被刻蚀层和位于所述已被刻蚀层上的光刻胶层，所述已被刻蚀层暴露出部分停止层表面； 利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层，所述干法去胶工艺所使用的去胶气体同时包括氧气和停止层保护膜形成气体，氧气与光刻胶层反应，可以去除至少部分厚度的光刻胶层，所述停止层保护膜形成气体的存在，使所述停止层的表面形成保护膜，保护膜的材料包括氢氧化铝；所述利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层的步骤之前或之后还包括：对所述待加工半导体结构的停止层进行表面平滑处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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