上海华力微电子有限公司许鹏凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利NAND Flash叠层结构栅极制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111376060.X，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权NAND Flash叠层结构栅极制造方法是由许鹏凯;乔夫龙;孙文彦设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本NAND Flash叠层结构栅极制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NANDFlash叠层结构栅极制造方法，包括：第一次生长控制栅多晶硅之后，沉积氧化硅；光刻曝光选择栅极和外围栅极区域需移除层间介质层的区域；层间介质层刻蚀，去除选择栅极和外围栅极顶部曝开区域的氧化硅层、第一次生长的控制栅多晶硅和层间介质层，直至浮栅多晶硅；第二次生长控制栅多晶硅，第二次生长后的控制栅多晶硅底面至少与所述氧化硅层顶面持平；去除高于氧化硅层的第二次生长后的控制栅多晶硅；去除全部氧化硅；第三次生长控制栅多晶硅，使最终控制栅多晶硅的总厚度为设计厚度。采用本发明的工艺方法选择栅极和外围栅极的多晶硅表面不再有明显的凹凸不平的情况，从而可以显著增加后续的工艺窗口，并增加整个工艺流程的窗口。
本发明授权NAND Flash叠层结构栅极制造方法在权利要求书中公布了：1.一种NANDFlash叠层结构栅极制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在衬底浮栅多晶硅形成之后，进行层间介质层的沉积；进行第一次生长的控制栅多晶硅的生长,继而沉积氧化硅； S2，光刻曝光选择栅极和外围栅极中需刻蚀掉层间介质层的区域； S3，层间介质层刻蚀，去除选择栅极区域以及外围栅极顶部的氧化硅层、第一次生长的控制栅多晶硅和层间介质层，直至浮栅多晶硅； S4，第二次生长控制栅多晶硅，第二次生长后的控制栅多晶硅底面至少与所述氧化硅层顶面持平； S5，去除高于氧化硅层的第二次生长后的控制栅多晶硅； S6，去除全部氧化硅； S7，第三次生长控制栅多晶硅，使最终控制栅多晶硅的总厚度为设计厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力微电子有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区高斯路568号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励