通富微电子股份有限公司陆建获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利一种QFN产品封装改进工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111524836.8，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种QFN产品封装改进工艺是由陆建;蒋伟;周丽娟;曹雅琴设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种QFN产品封装改进工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种QFN产品封装改进工艺，该QFN产品封装改进工艺包括贴膜工序，所述贴膜工序包括在安装有芯片的引线框架的背面贴膜，所述引线框架背面的端子向外凸出于所述引线框架背面所在的平面，并且所述引线框架背面的端子陷入膜中；塑封工序，所述塑封工序包括将贴膜后的安装有芯片的引线框架进行塑封；揭膜工序，所述揭膜工序包括将塑封后的引线框架背面的膜揭下，使得所述引线框架背面凸出的端子露出；电镀工序，所述电镀工序包括对揭膜后的引线框架背面的端子进行电镀。本发明提供的QFN产品封装改进工艺能够增加QFN产品的端子的焊锡面积，实现与PCB板之间牢靠的焊接。
本发明授权一种QFN产品封装改进工艺在权利要求书中公布了：1.一种QFN产品封装改进工艺，其特征在于,包括： 贴膜工序，所述贴膜工序包括在安装有芯片的引线框架的背面贴膜，所述引线框架背面的端子通过半腐工艺预先设计为向外凸出于所述引线框架背面所在的平面，凸出长度为80-150微米，并且所述引线框架背面的端子陷入所述膜中深度为40-60微米，所述膜的厚度大于等于200微米，以在经过塑封工序、揭膜工序后增加端子裸露的面积； 塑封工序，所述塑封工序包括将贴膜后的安装有芯片的引线框架进行塑封； 揭膜工序，所述揭膜工序包括将塑封后的引线框架背面的膜揭下，使得所述引线框架背面凸出的端子露出； 电镀工序，所述电镀包括对揭膜后的引线框架背面的端子进行电镀，在电镀前先清洁所述引线框架背面的端子，在所述电镀工序中，所述端子的外表面均电镀有锡。
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