长江存储科技有限责任公司邢彦召获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体结构的形成方法及CMOS器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385900.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构的形成方法及CMOS器件的制作方法是由邢彦召;陈洁;艾义明;张权设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的形成方法及CMOS器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构的形成方法及CMOS器件的制作方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供包括高压器件区和低压器件区的衬底；高压器件区包括形成在衬底内的隔离结构、以及形成在衬底上的栅氧化层和掩膜层；低压器件区包括形成在衬底内的隔离结构、以及形成在衬底上的衬垫氧化层和掩膜层；在高压器件区的掩膜层上形成保护层；保护层包括多晶硅层和介质层；采用Certas刻蚀工艺回刻蚀部分低压器件区的隔离结构；去除高压器件区的保护层。本申请提供的形成方法，通过在高压器件区上形成保护层，以避免在采用Certas刻蚀工艺回刻蚀低压器件区的隔离结构时，对高压器件区的掩膜层及栅氧化层造成损伤，从而保证高压器件区的栅氧化层的质量。
本发明授权一种半导体结构的形成方法及CMOS器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供包括高压器件区和低压器件区的衬底；所述高压器件区包括形成在所述衬底内的隔离结构、以及形成在所述衬底上的栅氧化层和掩膜层；所述低压器件区包括形成在所述衬底内的隔离结构、以及形成在所述衬底上的衬垫氧化层和掩膜层； 在所述高压器件区的所述掩膜层上形成保护层；所述保护层包括多晶硅层和介质层； 采用Certas刻蚀工艺回刻蚀部分所述低压器件区的隔离结构； 去除所述高压器件区的所述保护层；其中，低压器件区的隔离结构的表面低于高压器件区的隔离结构的表面。
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